igbt的開(kāi)通和關(guān)斷是由柵極電壓來(lái)控制的。
當(dāng)柵極施以正電壓時(shí)，mosfet內(nèi)形成溝道，并為pnp晶體管提供基極電流，從而使igbt導(dǎo)通。此時(shí)從n+區(qū)注入到n-區(qū)的空穴（少子）對(duì)n-區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減?、^(qū)的電阻rdr ，使阻斷電壓高的igbt也具有低的通態(tài)壓降。當(dāng)柵極上施以負(fù)電壓時(shí)。mosfet內(nèi)的溝道消失，pnp晶體管的基極電流被切斷，igbt即被關(guān)斷。
在igbt導(dǎo)通之后。若將柵極電壓突然降至零，則溝道消失，通過(guò)溝道的電子電流為零，使集電極電流有所下降，但由于n-區(qū)中注入了大量的電子和空穴對(duì)，因而集電極電流不會(huì)馬上為零，而出現(xiàn)一個(gè)拖尾時(shí)間。