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      2. IGBT的工作特性

        發(fā)布時(shí)間:2024-03-01
        igbt的開(kāi)通和關(guān)斷是由柵極電壓來(lái)控制的。
        當(dāng)柵極施以正電壓時(shí),mosfet內(nèi)形成溝道,并為pnp晶體管提供基極電流,從而使igbt導(dǎo)通。此時(shí)從n+區(qū)注入到n-區(qū)的空穴(少子)對(duì)n-區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減?、^(qū)的電阻rdr ,使阻斷電壓高的igbt也具有低的通態(tài)壓降。當(dāng)柵極上施以負(fù)電壓時(shí)。mosfet內(nèi)的溝道消失,pnp晶體管的基極電流被切斷,igbt即被關(guān)斷。
        在igbt導(dǎo)通之后。若將柵極電壓突然降至零,則溝道消失,通過(guò)溝道的電子電流為零,使集電極電流有所下降,但由于n-區(qū)中注入了大量的電子和空穴對(duì),因而集電極電流不會(huì)馬上為零,而出現(xiàn)一個(gè)拖尾時(shí)間。
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