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      2. CMOS反相器特點(diǎn)

        發(fā)布時(shí)間:2024-03-03
        cmos反相器由一個(gè)p溝道增強(qiáng)型mos管和一個(gè)n溝道增強(qiáng)型mos管串聯(lián)組成。通常p溝道管作為負(fù)載管,n溝道管作為輸入管。這種配置可以大幅降低功耗,因?yàn)樵趦煞N邏輯狀態(tài)中,兩個(gè)晶體管晶體管 的供應(yīng)商中的一個(gè)總是截止的。處理速率也能得到很好的提高,因?yàn)榕cnmos型和pmos型反相器相比,cmos反相器的電阻電阻的供應(yīng)商相對(duì)較低。
        cmos反相器特點(diǎn)
        (1) 靜態(tài)功耗極低。在穩(wěn)定時(shí),cmos反相器工作在工作區(qū)ⅰ和工作區(qū)ⅴ,總有一個(gè)mos管處于截止?fàn)顟B(tài),流過(guò)的電流為極小的漏電流。
        (2) 抗干擾能力較強(qiáng)。由于其閾值電平近似為0.5vdd,輸入信號(hào)變化時(shí),過(guò)渡變化陡峭,所以低電平噪聲容限和高電平噪聲容限近似相等,且隨電源電壓升高,抗干擾能力增強(qiáng)。
        (3) 電源利用率高。voh=vdd,同時(shí)由于閾值電壓隨vdd變化而變化,所以允許vdd有較寬的變化范圍,一般為+3~+18v。
        (4) 輸入阻抗高,帶負(fù)載能力強(qiáng)。
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