1，移動(dòng)硬盤(pán)都是固態(tài)的嗎2，硬盤(pán)sata2屬于固態(tài)硬盤(pán)嗎3，分析硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器是否會(huì)被ssd所取代1，移動(dòng)硬盤(pán)都是固態(tài)的嗎
使用方法是一樣的，固態(tài)硬盤(pán)屬于硬盤(pán)一種，移動(dòng)硬盤(pán)分移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)和移動(dòng)機(jī)械硬盤(pán)，都可以外接使用，接口也都是一樣的沒(méi)有固態(tài)移動(dòng)硬盤(pán)那么一說(shuō)，移動(dòng)硬盤(pán)看動(dòng)手能力了，品牌的用wd的mypassport和萊希的都可以目前移動(dòng)硬盤(pán)分兩種吧，一種是傳統(tǒng)硬盤(pán)，就是一般臺(tái)式機(jī)使用的那種；一種叫固態(tài)硬盤(pán)。就價(jià)格來(lái)說(shuō)，固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格要貴；就速度和穩(wěn)定性來(lái)說(shuō)，就是固態(tài)硬盤(pán)要好。
2，硬盤(pán)sata2屬于固態(tài)硬盤(pán)嗎
硬盤(pán)sata2只是一個(gè)硬盤(pán)上的接口或者主板上的接口，不能從這個(gè)接口上分辨是否是固態(tài)硬盤(pán)。材料工具：固態(tài)硬盤(pán)1、sata2只是接口中的一個(gè)類別，常見(jiàn)的固態(tài)硬盤(pán)接口有：sata-2接口、sata-3接口、sas接口、msata接口、pci-e接口、ngff接口、cfast接口和sff-8639接口。2、固態(tài)硬盤(pán)上的標(biāo)簽一般都會(huì)標(biāo)注產(chǎn)品名稱，可以通過(guò)搜索找到這個(gè)硬盤(pán)的類型。一般固態(tài)硬盤(pán)都會(huì)標(biāo)注有ssd字樣。3、固態(tài)硬盤(pán)與普通硬盤(pán)相比較：a. 無(wú)噪音。因沒(méi)機(jī)械馬達(dá)和風(fēng)扇，工作時(shí)噪音值為0分貝。某些高端或大容量產(chǎn)品裝有風(fēng)扇，因仍會(huì)產(chǎn)生噪音的。b. 啟動(dòng)快，沒(méi)有電機(jī)加速旋轉(zhuǎn)過(guò)程。c. 基于dram啲固態(tài)硬盤(pán)寫(xiě)入速度極快。d. 內(nèi)部不存在任何機(jī)械活動(dòng)部件，不發(fā)生機(jī)械的故障，也不怕碰撞、沖擊、振動(dòng)。即使在高速移動(dòng)甚至伴隨翻轉(zhuǎn)傾斜情況下也不影響到正常使用.e. 低容量的固態(tài)硬盤(pán)比同容量硬盤(pán)體積小、重量輕。但優(yōu)勢(shì)隨容量增大而逐漸減弱。直至256gb，固態(tài)硬盤(pán)仍比相同容量的普通硬盤(pán)輕。f. 不用磁頭，快速隨機(jī)讀取，讀延遲極小。666只要300就可以壓我哦msata接口的硬盤(pán)不能直接裝在sata接口上，但是可以通過(guò)轉(zhuǎn)接器的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)msata接口固態(tài)硬盤(pán)連接sata接口使用。msata接口和標(biāo)準(zhǔn)sata接口實(shí)際上都是依據(jù)sata接口標(biāo)準(zhǔn)工作的，所以兩者之間可以通過(guò)簡(jiǎn)單的轉(zhuǎn)換器來(lái)實(shí)現(xiàn)接口的轉(zhuǎn)換。一款常見(jiàn)的msata接口轉(zhuǎn)標(biāo)準(zhǔn)sata接口的轉(zhuǎn)接器如下圖：sata2只是一種接口是一個(gè)接口，固態(tài)硬盤(pán)可以接在這個(gè)接口上，不是一個(gè)東西
3，分析硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器是否會(huì)被ssd所取代
隨著基于閃存的固態(tài)硬盤(pán)逐漸成為主流，許多用戶和分析師都在猜想硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器時(shí)代什么時(shí)候會(huì)結(jié)束。甚至我的同胞george crump上周也在猜測(cè)ssd（固態(tài)硬盤(pán)）何時(shí)會(huì)主導(dǎo)數(shù)據(jù)中心。雖然閃存已經(jīng)在一些領(lǐng)域上取代旋轉(zhuǎn)式磁盤(pán)，比如mp3領(lǐng)域--在這里，小尺寸和抗震性比容量更重要，但是我仍然認(rèn)為硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器時(shí)代仍然不會(huì)很快終結(jié)。大多數(shù)認(rèn)為旋轉(zhuǎn)式磁盤(pán)時(shí)代將終結(jié)的人相信固態(tài)硬盤(pán)的密度將根據(jù)摩爾定律呈現(xiàn)指數(shù)式增長(zhǎng)。摩爾定律認(rèn)為集成電路上的設(shè)備密度將每?jī)赡暝黾右槐?。這些人還認(rèn)為雖然閃存的單位存儲(chǔ)價(jià)格可能是同容量的旋轉(zhuǎn)式磁盤(pán)的20到70倍，但是摩爾定律將使ssd的單位存儲(chǔ)價(jià)格快速下滑，因此當(dāng)ssd的單位存儲(chǔ)價(jià)格只有旋轉(zhuǎn)式磁盤(pán)的2到5倍的時(shí)候?qū)](méi)有人購(gòu)買硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器。 這種說(shuō)法的主要問(wèn)題是他們忽略了硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的密度也在遵循類似的模式不斷提高，即kryders定律--mark kryders是前希捷首席技術(shù)官。kryders定律認(rèn)為磁盤(pán)每年的比特密度將增加一倍。即使閃存ssd成本每?jī)赡晗陆档皆瓉?lái)的三分之一，而硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器只下降到原來(lái)的二分之一，閃存的單位成本也無(wú)法在2018年以前達(dá)到只有硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器5倍的目標(biāo) 此外，還有一些問(wèn)題可能會(huì)限制nand閃存制程所能夠減小的幅度。許多芯片已經(jīng)達(dá)到足夠小的制程，達(dá)到了光刻的極限，制造商們也必須考慮在減小電子管尺寸和電路過(guò)程中帶來(lái)的量子效應(yīng)。 由于塊擦寫(xiě)（block erasure）需要很高的電壓，因此閃存單元有可能出現(xiàn)壓力導(dǎo)致的電流泄漏，導(dǎo)致閃存單元失去電荷--和你的數(shù)據(jù)--因?yàn)榕R近的閃存單元被擦寫(xiě)甚至被寫(xiě)入。更小的單元尺寸意味著這些閃存單元要靠得更近，因此更有可能被這種效應(yīng)所影響。 當(dāng)然，硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器也有自己的技術(shù)障礙，但是位模式媒介和熱輔助磁記錄等新技術(shù)可以幫助硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器再堅(jiān)持10年。到2020年左右，我們將看到60到80tb容量的驅(qū)動(dòng)器。 對(duì)于性能導(dǎo)向的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器來(lái)說(shuō)，未來(lái)則不怎么光明。我不理解為什么還有人買1萬(wàn)轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)器。1.5萬(wàn)轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)器的價(jià)格一樣，而且ssd在單位io上的成本已經(jīng)比高速磁盤(pán)要低許多了。 在我看來(lái)，未來(lái)是屬于閃存或某種使用相變或自旋理論的非易失性記憶體技術(shù)，以及大容量驅(qū)動(dòng)器。也許是的。