50年代末出現(xiàn)的晶閘管標(biāo)志著運(yùn)動(dòng)控制的新紀(jì)元。它是第一代電子電力器件，在我國至今仍廣泛用于直流和交流傳動(dòng)控制系統(tǒng)。隨著交流變頻技術(shù)的興起，相繼出現(xiàn)了全控式器件―ctr、gto、p-moseft等。這是第二代電力電子器件。由于目前所能生產(chǎn)的電流/電壓定額和開關(guān)時(shí)間的不同，各種器件各有其應(yīng)用范圍。
gtr的二次擊穿現(xiàn)象以及其安全工作區(qū)受各項(xiàng)參數(shù)影響而變化和熱容量小、過流能力低等問題，使得人們把主要精力放在根據(jù)不同的特性設(shè)計(jì)出合適的保護(hù)電路和驅(qū)動(dòng)電路上，這也使得電路比較復(fù)雜，難以掌握。
gto是一種用門極可關(guān)斷的高壓器件，它的主要缺點(diǎn)是關(guān)斷增益低，一般為4～5，這就需要一個(gè)十分龐大的關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路，且它的通態(tài)壓降比普通晶閘管高，約為zv～4.5v，開通di/dt和關(guān)斷dv/dt也是限制gto推廣運(yùn)用的另一原因，前者約為500a/us，后者約為500v/us，這就需要一個(gè)龐大的吸收電路。
由于gir、gto等雙極性全控性器件必須要有較大的控制電流，因而使門極控制電路非常龐大，從而促進(jìn)廠新一代具有高輸人阻抗的mos結(jié)構(gòu)電力半導(dǎo)體器件的一切。功率mosfet是一種電壓驅(qū)動(dòng)器件，基本上不要求穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)電流，驅(qū)動(dòng)電路只需要在器件開通時(shí)提供容性充電電流，而關(guān)斷時(shí)提供放電電流即可，因此驅(qū)動(dòng)電路很簡單。它的開關(guān)時(shí)間很快，安全工作區(qū)十分穩(wěn)定，但是p-mosfet的通態(tài)電壓降隨著額定電壓的增加而成倍增大，這就給制造高壓p-mosfet造成了很大困難。
igbt是p-mosfet工藝技術(shù)基礎(chǔ)上的產(chǎn)物，它兼有mosfet高輸人阻抗、高速特性和gtr大電流密度特性的混合器件。其開關(guān)速度比p-mosfet低，但比gtr快；其通態(tài)電壓降與gtr相擬約為1.5v～3.5v，比p-mosfet小得多，其關(guān)斷存儲(chǔ)時(shí)間和電流卜降時(shí)間為別為0.2us一04us和0.2us～1.5us，因而有較高的工作頻率，它具有寬而穩(wěn)定的安個(gè)工作區(qū)，較高的效率，驅(qū)動(dòng)電路簡單等優(yōu)點(diǎn)。
mos控制晶閘管（mct）是一種在它的單胞內(nèi)集成了mosfet的品閘管，利用mos門來控制品閘管的開通和關(guān)斷，具有晶閘管的低通態(tài)電壓降，但其工作電流密度遠(yuǎn)高igbt和gtr，在理論上可制成幾千伏的阻斷電壓和幾十千赫的開關(guān)頻率，且其關(guān)斷增益極高。
igbt和mgt這一類復(fù)合型電力電子器件可以稱為第三代器件。在器件的復(fù)合化的同時(shí)，模塊即把變換器的雙臂、半橋乃至全橋組合在一起大規(guī)模生產(chǎn)的器件也已進(jìn)入實(shí)用。在模塊化和復(fù)合化思路的基礎(chǔ)卜，其發(fā)展便是功率集成電路pic（powerl，lntegratcdcirrrrcute），在pic，不僅主回路的器件，而且驅(qū)動(dòng)電路、過壓過流保護(hù)、電流檢測甚至溫度自動(dòng)控制等作用都集成到一起，形成一個(gè)整體，這可以算作第四代電力電子器件。