1、檢波用二極管
就原理而言,從輸入信號中取出調(diào)制信號是檢波,以整流電流的大小(100ma)作為界線通常把輸出電流小于100ma的叫檢波。鍺材料點接觸型、工作頻率可達400mhz,正向壓降小,結(jié)電容小,檢波效率高,頻率特性好,為2ap型。類似點觸型那樣檢波用的二極管,除用于檢波外,還能夠用于限幅、削波、調(diào)制、混頻、開關(guān)等電路。也有為調(diào)頻檢波專用的特性一致性好的兩只二極管組合件。
2、整流用二極管
就原理而言,從輸入交流中得到輸出的直流是整流。以整流電流的大?。?00ma)作為界線通常把輸出電流大于100ma的叫整流。面結(jié)型,工作頻率小于khz,最高反向電壓從25伏至3000伏分a~x共22檔。分類如下:①硅半導(dǎo)體整流二極管2cz型、②硅橋式整流器ql型、③用于電視機高壓硅堆工作頻率近100khz的2clg型。
3、限幅用二極管
大多數(shù)二極管能作為限幅使用。也有象保護儀表用和高頻齊納管那樣的專用限幅二極管。為了使這些二極管具有特別強的限制尖銳振幅的作用,通常使用硅材料制造的二極管。也有這樣的組件出售:依據(jù)限制電壓需要,把若干個必要的整流二極管串聯(lián)起來形成一個整體。
4、調(diào)制用二極管
通常指的是環(huán)形調(diào)制專用的二極管。就是正向特性一致性好的四個二極管的組合件。即使其它變?nèi)荻O管也有調(diào)制用途,但它們通常是直接作為調(diào)頻用。
5、混頻用二極管
使用二極管混頻方式時,在500~10,000hz的頻率范圍內(nèi),多采用肖特基型和點接觸型二極管。
6、放大用二極管
用二極管放大,大致有依靠隧道二極管和體效應(yīng)二極管那樣的負(fù)阻性器件的放大,以及用變?nèi)荻O管的參量放大。因此,放大用二極管通常是指隧道二極管、體效應(yīng)二極管和變?nèi)荻O管。
7、開關(guān)用二極管
有在小電流下(10ma程度)使用的邏輯運算和在數(shù)百毫安下使用的磁芯激勵用開關(guān)二極管。小電流的開關(guān)二極管通常有點接觸型和鍵型等二極管,也有在高溫下還可能工作的硅擴散型、臺面型和平面型二極管。開關(guān)二極管的特長是開關(guān)速度快。而肖特基型二極管的開關(guān)時間特短,因而是理想的開關(guān)二極管。2ak型點接觸為中速開關(guān)電路用;2ck型平面接觸為高速開關(guān)電路用;用于開關(guān)、限幅、鉗位或檢波等電路;肖特基(sbd)硅大電流開關(guān),正向壓降小,速度快、效率高。
8、變?nèi)荻O管
用于自動頻率控制(afc)和調(diào)諧用的小功率二極管稱變?nèi)荻O管。日本廠商方面也有其它許多叫法。通過施加反向電壓,使其pn結(jié)的靜電容量發(fā)生變化。因此,被使用于自動頻率控制、掃描振蕩、調(diào)頻和調(diào)諧等用途。通常,雖然是采用硅的擴散型二極管,但是也可采用合金擴散型、外延結(jié)合型、雙重擴散型等特殊制作的二極管,因為這些二極管對于電壓而言,其靜電容量的變化率特別大。結(jié)電容隨反向電壓vr變化,取代可變電容,用作調(diào)諧回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路,常用于電視機高頻頭的頻道轉(zhuǎn)換和調(diào)諧電路,多以硅材料制作。
9、頻率倍增用二極管
對二極管的頻率倍增作用而言,有依靠變?nèi)荻O管的頻率倍增和依靠階躍(即急變)二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變?nèi)荻O管稱為可變電抗器,可變電抗器雖然和自動頻率控制用的變?nèi)荻O管的工作原理相同,但電抗器的構(gòu)造卻能承受大功率。階躍二極管又被稱為階躍恢復(fù)二極管,從導(dǎo)通切換到關(guān)閉時的反向恢復(fù)時間trr短,因此,其特長是急速地變成關(guān)閉的轉(zhuǎn)移時間顯著地短。如果對階躍二極管施加正弦波,那么,因tt(轉(zhuǎn)移時間)短,所以輸出波形急驟地被夾斷,故能產(chǎn)生很多高頻諧波。
10、穩(wěn)壓二極管
是代替穩(wěn)壓電子二極管的產(chǎn)品。被制作成為硅的擴散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極管。作為控制電壓和標(biāo)準(zhǔn)電壓使用而制作的。二極管工作時的端電壓(又稱齊納電壓)從3v左右到150v,按每隔10%,能劃分成許多等級。在功率方面,也有從200mw至100w以上的產(chǎn)品。工作在反向擊穿狀態(tài),硅材料制作,動態(tài)電阻rz很小,一般為2cw型;將兩個互補二極管反向串接以減少溫度系數(shù)則為2dw型。
11、pin型二極管(pin diode)
這是在p區(qū)和n區(qū)之間夾一層本征半導(dǎo)體(或低濃度雜質(zhì)的半導(dǎo)體)構(gòu)造的晶體二極管。pin中的i是“本征”意義的英文略語。當(dāng)其工作頻率超過100mhz時,由于少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)和“本征”層中的渡越時間效應(yīng),其二極管失去整流作用而變成阻抗元件,并且,其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時,“本征”區(qū)的阻抗很高;在直流正向偏置時,由于載流子注入“本征”區(qū),而使“本征”區(qū)呈現(xiàn)出低阻抗?fàn)顟B(tài)。因此,可以把pin二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應(yīng)用于高頻開關(guān)(即微波開關(guān))、移相、調(diào)制、限幅等電路中。
12、 雪崩二極管 (avalanche diode)
它是在外加電壓作用下可以產(chǎn)生高頻振蕩的晶體管。產(chǎn)生高頻振蕩的工作原理是欒的:利用雪崩擊穿對晶體注入載流子,因載流子渡越晶片需要一定的時間,所以其電流滯后于電壓,出現(xiàn)延遲時間,若適當(dāng)?shù)乜刂贫稍綍r間,那么,在電流和電壓關(guān)系上就會出現(xiàn)負(fù)阻效應(yīng),從而產(chǎn)生高頻振蕩。它常被應(yīng)用于微波領(lǐng)域的振蕩電路中。
13、江崎二極管 (tunnel diode)
它是以隧道效應(yīng)電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其p型區(qū)的n型區(qū)是高摻雜的(即高濃度雜質(zhì)的)。隧道電流由這些簡并態(tài)半導(dǎo)體的量子力學(xué)效應(yīng)所產(chǎn)生。發(fā)生隧道效應(yīng)具備如下三個條件:①費米能級位于導(dǎo)帶和滿帶內(nèi);②空間電荷層寬度必須很窄(0.01微米以下);簡并半導(dǎo)體p型區(qū)和n型區(qū)中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數(shù)有峰谷電流比(ip/pv),其中,下標(biāo)“p”代表“峰”;而下標(biāo)“v”代表“谷”。江崎二極管可以被應(yīng)用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中(其工作頻率可達毫米波段),也可以被應(yīng)用于高速開關(guān)電路中。
14、快速關(guān)斷(階躍恢復(fù))二極管 (step recovary diode)
它也是一種具有pn結(jié)的二極管。其結(jié)構(gòu)上的特點是:在pn結(jié)邊界處具有陡峭的雜質(zhì)分布區(qū),從而形成“自助電場”。由于pn結(jié)在正向偏壓下,以少數(shù)載流子導(dǎo)電,并在pn結(jié)附近具有電荷存貯效應(yīng),使其反向電流需要經(jīng)歷一個“存貯時間”后才能降至最小值(反向飽和電流值)。階躍恢復(fù)二極管的“自助電場”縮短了存貯時間,使反向電流快速截止,并產(chǎn)生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設(shè)計出梳狀頻譜發(fā)生電路??焖訇P(guān)斷(階躍恢復(fù))二極管用于脈沖和高次諧波電路中。
15、肖特基二極管 (schottky barrier diode)
它是具有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外,還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵,多為n型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的,所以,其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的pn結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微,所以其頻率響僅為rc時間常數(shù)限制,因而,它是高頻和快速開關(guān)的理想器件。其工作頻率可達100ghz。并且,mis(金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。
16、阻尼二極管
具有較高的反向工作電壓和峰值電流,正向壓降小,高頻高壓整流二極管,用在電視機行掃描電路作阻尼和升壓整流用。
17、瞬變電壓抑制二極管
tvp管,對電路進行快速過壓保護,分雙極型和單極型兩種,按峰值功率(500w-5000w)和電壓(8.2v~200v)分類。
18、雙基極二極管(單結(jié)晶體管)
兩個基極,一個發(fā)射極的三端負(fù)阻器件,用于張馳振蕩電路,定時電壓讀出電路中,它具有頻率易調(diào)、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點。
19、發(fā)光二極管
用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成,體積小,正向驅(qū)動發(fā)光。工作電壓低,工作電流小,發(fā)光均勻、壽命長、可發(fā)紅、黃、綠單色光。