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      2. 陰極發(fā)光設(shè)備(SEM-CL)在光束敏感光電材料(雜化鹵化物鈣鈦礦)方面的應(yīng)用

        發(fā)布時間:2024-08-21
        鹵化物鈣鈦礦已成為下一代光電應(yīng)用(如太陽能電池和發(fā)光二極管)的特殊候選者。鈣鈦礦薄膜在微觀和納米尺度上具有非均質(zhì)性。對納米尺度的理解是開發(fā)和改進(jìn)這些新型材料的基礎(chǔ)。cl允許在高空間分辨率下探測材料的特性。然而,這些軟半導(dǎo)體對電子束損傷非常敏感,這主要阻礙了cl的使用。
        利用脈沖模式掃描電子顯微鏡陰極發(fā)光技術(shù)(pm sem-cl)對雜化鈣鈦礦薄膜的研究是有用的。這些發(fā)現(xiàn)是由attolight allalin設(shè)置實現(xiàn)的。由于電子束的低劑量脈沖特性,通過獲取cl高光譜圖,可以在納米尺度上對雜化鈣鈦礦薄膜的發(fā)射特性的非均質(zhì)性進(jìn)行成像。這些優(yōu)化的參數(shù)還可以獲得多晶薄膜的時間分辨cl,與光致發(fā)光類似物相比,顯示出明顯更短的載流子動力學(xué),這表明電子束與樣品的相互作用歸因于光束損傷。
        這些發(fā)現(xiàn)代表了開啟cl高光譜測繪和trcl在更光束敏感的混合鈣鈦礦成分上的應(yīng)用的有希望的一步。此外,我們預(yù)計低劑量下的cl將在解決其他有機(jī)和光束敏感半導(dǎo)體的復(fù)雜納米尺度方面發(fā)揮重要作用。
        圖:空間分辨cl圖對降低光束電流顯出更強(qiáng)大發(fā)射。cw(連續(xù)波)和 pm(脈沖模式)電子束采集
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