igbt是insulated gate bipolar transistor的英文縮寫?？梢苑g做絕緣柵雙極晶體管。是由bjt(雙極型三極管)和mos(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有mosfet的高輸入阻抗和gtr的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。
igbt是強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率mosfet的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓bvdss需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率mosfet具有rds(on)數(shù)值高的特征，igbt消除了現(xiàn)有功率mosfet的這些主要缺點。雖然最新一代功率mosfet器件大幅度改進了rds(on)特性，但是在高電平時，功率導(dǎo)通損耗仍然要比igbt 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個低vce(sat)的能力，以及igbt的結(jié)構(gòu)，同一個標準雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化igbt驅(qū)動器的原理圖。
簡單來說，igbt是一種實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和控制的電力電子器件。復(fù)雜一點說，用電設(shè)備終端都需要不同電壓等級、不同電流大小，即不同功率等級的電力設(shè)備，這就需要大量采用igbt等功率器件進行電能的轉(zhuǎn)換和控制。比如在我們熟悉的高鐵動車組，其電能的轉(zhuǎn)換首先是將電網(wǎng)2.5萬伏的高壓交流電，經(jīng)過降壓、整流、逆變等方式，轉(zhuǎn)換成可以調(diào)頻調(diào)壓的三相交流電，最后供給交流電機，這個過程稱之為“變流”，最后輸出的三相交流電供給交流電機，從而獲得牽引整列高速動車組前進的牽引力。
igbt在我們生活的基礎(chǔ)領(lǐng)域——發(fā)電也是重要的存在。在發(fā)電領(lǐng)域，風(fēng)、水、太陽能等能源發(fā)出的電是一種粗糙的、不可控的、不穩(wěn)定的電能，就是我們俗說的“粗電”，而要想轉(zhuǎn)換成精細的、可控的、穩(wěn)定的能夠并入電網(wǎng)的“精電”，進而適合不同功率電力設(shè)備，需要采用igbt等電力電子器件實現(xiàn)對電能的品質(zhì)轉(zhuǎn)化，以風(fēng)電為例，風(fēng)機的葉片帶動發(fā)電機旋轉(zhuǎn)，發(fā)電機發(fā)出的頻率往往不到電網(wǎng)頻率的一半，因此需要用高壓大電流的igbt模塊，重新產(chǎn)生穩(wěn)頻穩(wěn)壓的交流電。