1，固態(tài)硬盤st是什么2，固態(tài)硬盤sl300中符號和數(shù)字都代表什么意思3，聯(lián)想固態(tài)硬盤sl500和st510有什么區(qū)別嗎都是120g的4，聯(lián)想固態(tài)是st還是sl好5，固態(tài)硬盤ssd的slc與mlc和tlc三者的區(qū)別是什么1，固態(tài)硬盤st是什么
舉例說明，比如你硬盤上顯示 st 3250310as其識別方法為：“st+硬盤尺寸+容量+主標識+副標識+接口類型” 比如你這個硬盤st表示是西捷的。第一個數(shù)字3表示3.5英寸，厚度為25mm的半高硬盤，250表示250g，3表示是3張盤片，10表示轉(zhuǎn)速為10000轉(zhuǎn)/m，“as”表示為serial ata150的接口。lenovo/聯(lián)想 st600 ssd 固態(tài)硬盤一個字 差，用的這款不到2個月就有問題了已經(jīng)跟拿去換了，買了這款后悔的要命、；。
2，固態(tài)硬盤sl300中符號和數(shù)字都代表什么意思
你說的是閃電鯊聯(lián)想固態(tài)吧，這款價格目前249還行。尊敬的用戶您好！sl300的機器，主硬盤為一般是可以支持到sata2的速率的，光驅(qū)位一般是sata1的速率，查詢您機器標配的硬盤是satai2.5英寸 9.5mm，您可以參考下這個規(guī)格購買。更換主硬盤位或加裝光驅(qū)位的硬盤，都是存在一定兼容性的情況，光驅(qū)位的話托架方面也是有兼容性的情況的，因此建議您實際測試好再購買，或與經(jīng)銷商協(xié)商好若出現(xiàn)不兼容的情況幫您更換下，以免影響您后續(xù)的使用。感謝您關(guān)注聯(lián)想，祝您生活愉快！期待您滿意的評價，感謝您對聯(lián)想的支持，祝您生活愉快！
3，聯(lián)想固態(tài)硬盤sl500和st510有什么區(qū)別嗎都是120g的
這些都是一些劣質(zhì)性的產(chǎn)品，建議購買的時候不要考慮代工、有缺陷的 ，表面上看是很便宜，當你使用的過程中，你就會發(fā)現(xiàn)購買sandisk，三星，金士頓等產(chǎn)品性能讀寫、持續(xù)讀寫、隨機讀寫，4k讀寫都是非常好，你我測試過st510，在讀寫恨到小的文件的時候，基表就是幾kb跑，貴是有原因的，這個盤體測試讀寫速速的只是比機械硬盤好一點，有時候還沒有西數(shù)的黑盤讀寫持續(xù)性好。聯(lián)想的固態(tài)硬盤都是代工廠貼牌的，只掛聯(lián)想商標而已，里邊都是白片，沒什么可選的。這兩塊硬盤使用的內(nèi)存芯片不一樣，可以直接咨詢官方客服。那個便宜買那個，sata3的固態(tài)差別都不大
4，聯(lián)想固態(tài)是st還是sl好
1、此款筆記芯片組是intel gl40，支持sata2?？梢陨壒虘B(tài)硬盤，日常使用的速度不比sata3明顯慢。2、接口方面，只能升級sata接口的固態(tài)硬盤，不支持msata和m.2接口。3、注意，安裝系統(tǒng)的時候要打開bios里的ahci選項，或設(shè)置為sata mode，然后固態(tài)硬盤一定要4k對齊。直接用微軟原版安裝自動就是對齊的。st510和sl500，128g和120g的區(qū)別，通俗說128g是采用的mlc的顆粒，120g一般用的tlc，理論上mlc比tlc的顆粒使用更長久，但是那也是幾十年后的事情了，小容量硬盤不需要考慮，同樣品牌同量容量的，建議選便宜的，型號只是廠商為了分別買不同的價格而已。切記不要買到假貨。
5，固態(tài)硬盤ssd的slc與mlc和tlc三者的區(qū)別是什么
構(gòu)成ssd的主要ic有主控芯片和nand閃存，slc、mlc和tlc三者都是閃存的類型。1、slc = single-level cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約mlc 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命。2、mlc = multi-level cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000—10000次擦寫壽命。3、tlc = trinary-level cell，即3bit/cell，也有flash廠家叫8lc，速度慢壽命短，價格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。需要說明的閃存的壽命指的是寫入(擦寫)的次數(shù)，不是讀出的次數(shù)，因為讀取對芯片的壽命影響不大。構(gòu)成ssd的主要ic有主控芯片和nand閃存，有不少人認為單純看主控就可以知道ssd的性能，其實這是錯誤的，就像某些廠商的產(chǎn)品線那樣，用的都是sandforce sf-2281主控，但是通過不同的閃存與固件搭配劃分出很多不同層次的產(chǎn)品，相互之間性能差異比較大，可見ssd所用的固件與閃存種類都是對其性能有相當大影響的。tlc是閃存一種類型，全稱為triple-level cell tlc芯片技術(shù)是mlc和tlc技術(shù)的延伸。最早期nand flash技術(shù)架構(gòu)是slc(single-level cell)，原理是在1個存儲器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到mlc(multi-level cell)技術(shù)接棒后，架構(gòu)演進為1個存儲器儲存單元存放2位元。slc、mlc、tlc閃存芯片的區(qū)別：slc = single-level cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約mlc 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命mlc = multi-level cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命tlc = trinary-level cell，即3bit/cell，也有flash廠家叫8lc，速度慢壽命短，價格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。目前，安德旺科技生產(chǎn)的指紋u盤產(chǎn)品中采用的閃存芯片都是三星mlc中的原裝a級芯片。讀寫速度：采用h2testw v1.4測試，三星mlc寫入速度: 4.28-5.59 mbyte/s，讀取速度: 12.2-12.9 mbyte/s。三星slc寫入速度: 8.5mbyte/s，讀取速度: 14.3mbyte/s。需要說明的閃存的壽命指的是寫入(擦寫)的次數(shù)，不是讀出的次數(shù)，因為讀取對芯片的壽命影響不大。面是slc、mlc、tlc三代閃存的壽命差異slc 利用正、負兩種電荷 一個浮動?xùn)糯鎯?個bit的信息，約10萬次擦寫壽命。mlc 利用不同電位的電荷，一個浮動?xùn)糯鎯?個bit的信息，約一萬次擦寫壽命，slc-mlc【容量大了一倍，壽命縮短為1/10】。tlc 利用不同電位的電荷，一個浮動?xùn)糯鎯?個bit的信息，約500-1000次擦寫壽命，mlc-tlc【容量大了1/2倍，壽命縮短為1/20】。閃存產(chǎn)品壽命越來越短，現(xiàn)在市場上已經(jīng)有tlc閃存做的產(chǎn)品了鑒于slc和mlc或tlc閃存壽命差異太大強烈要求數(shù)碼產(chǎn)品的生產(chǎn)商在其使用閃存的產(chǎn)品上標明是slc和mlc或tlc閃存產(chǎn)品許多人對閃存的slc和mlc區(qū)分不清。就拿目前熱銷的mp3隨身聽來說，是買slc還是mlc閃存芯片的呢？在這里先告訴大家，如果你對容量要求不高，但是對機器質(zhì)量、數(shù)據(jù)的安全性、機器壽命等方面要求較高，那么slc閃存芯片的首選。但是大容量的slc閃存芯片成本要比mlc閃存芯片高很多，所以目前2g以上的大容量，低價格的mp3多是采用mlc閃存芯片。大容量、低價格的mlc閃存自然是受大家的青睞，但是其固有的缺點，也不得不讓我們考慮一番。什么是mlc？mlc英文全稱（multi level cell——mlc)即多層式儲存。主要由東芝、renesas、三星使用。英特爾（intel）在1997年9月最先開發(fā)成功mlc，其作用是將兩個單位的信息存入一個floatinggate（閃存存儲單元中存放電荷的部分），然后利用不同電位（level）的電荷，通過內(nèi)存儲存的電壓控制精準讀寫。mlc通過使用大量的電壓等級，每個單元儲存兩位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比較大。slc架構(gòu)是0和1兩個值，而mlc架構(gòu)可以一次儲存4個以上的值，因此，mlc架構(gòu)可以有比較好的儲存密度。與slc比較mlc的優(yōu)勢：簽于目前市場主要以slc和mlc儲存為主，我們多了解下slc和mlc儲存。slc架構(gòu)是0和1兩個值，而mlc架構(gòu)可以一次儲存4個以上的值，因此mlc架構(gòu)的儲存密度較高，并且可以利用老舊的生產(chǎn)程備來提高產(chǎn)品的容量，無須額外投資生產(chǎn)設(shè)備，擁有成本與良率的優(yōu)勢。與slc相比較，mlc生產(chǎn)成本較低，容量大。如果經(jīng)過改進，mlc的讀寫性能應(yīng)該還可以進一步提升。與slc比較mlc的缺點：mlc架構(gòu)有許多缺點，首先是使用壽命較短，slc架構(gòu)可以寫入10萬次，而mlc架構(gòu)只能承受約1萬次的寫入。其次就是存取速度慢，在目前技術(shù)條件下，mlc芯片理論速度只能達到6mb左右。slc架構(gòu)比mlc架構(gòu)要快速三倍以上。再者，mlc能耗比slc高，在相同使用條件下比slc要多15%左右的電流消耗。雖然與slc相比，mlc缺點很多，但在單顆芯片容量方面，目前mlc還是占了絕對的優(yōu)勢。由于mlc架構(gòu)和成本都具有絕對優(yōu)勢，能滿足2gb、4gb、8gb甚至更大容量的市場需求。slc，mlc和tlc三者的區(qū)別如下：slc = single-level cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約mlc 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命。mlc = multi-level cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命。tlc = trinary-level cell，即3bit/cell，也有flash廠家叫8lc，速度慢壽命短，價格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。1、與slc比較mlc的優(yōu)勢：簽于目前市場主要以slc和mlc儲存為主，我們多了解下slc和mlc儲存。slc架構(gòu)是0和1兩個值，而mlc架構(gòu)可以一次儲存4個以上的值，因此mlc架構(gòu)的儲存密度較高，并且可以利用老舊的生產(chǎn)程備來提高產(chǎn)品的容量，無須額外投資生產(chǎn)設(shè)備，擁有成本與良