阿托斯atos傳感器當(dāng)基片受到外力作用而產(chǎn)生形變時，各電阻值將發(fā)生變化，電橋就會產(chǎn)生相應(yīng)的不平衡輸出。用作壓阻式傳感器的基片（或稱膜片）材料主要為硅片和鍺片，硅片為敏感材料而制成的硅壓阻傳感器越來越受到人們的重視，尤其是以測量壓力和速度的固態(tài)壓阻式傳感器應(yīng)用zui為普遍。熱電阻測溫是基于金屬導(dǎo)體的電阻值隨溫度的增加而增加這一特性來進行溫度測量的。阿托斯atos傳感器熱電阻大都由純金屬材料制成，目前應(yīng)用zui多的是鉑和銅，此外，已開始采用鎳、錳和銠等材料制造熱電阻。熱電阻傳感器主要是利用電阻值隨溫度變化而變化這一特性來測量溫度及與溫度有關(guān)的參數(shù)。阿托斯atos傳感器在溫度檢測精度要求比較高的場合，這種傳感器比較適用。較為廣泛的熱電阻材料為鉑、銅、鎳等，它們具有電阻溫度系數(shù)大、線性好、性能穩(wěn)定、使用溫度范圍寬、加工容易等特點。用于測量-200℃～+500℃范圍內(nèi)的溫度。
阿托斯atos傳感器磁場越強，電壓越高，磁場越弱，電壓越低?；魻栯妷褐岛苄。ǔＶ挥袔讉€毫伏，但經(jīng)集成電路中的放大器放大，就能使該電壓放大到足以輸出較強的信號。若使霍爾集成電路起傳感作用，需要用機械的方法來改變磁場強度。是用一個轉(zhuǎn)動的葉輪作為控制磁通量的開關(guān)，阿托斯atos傳感器當(dāng)葉輪葉片處于磁鐵和霍爾集成電路之間的氣隙中時，磁場偏離集成片，霍爾電壓消失。這樣，霍爾集成電路的輸出電壓的變化，就能表示出葉輪驅(qū)動軸的某一位置，利用這一工作原理，可將霍爾集成電路片用作用點火正時傳感器?；魻栃?yīng)傳感器屬于被動型傳感器，阿托斯atos傳感器要有外加電源才能工作，這一特點使它能檢測轉(zhuǎn)速低的運轉(zhuǎn)情況。
阿托斯atos傳感器用于測量蒸發(fā)器和冷凝器的管壁溫度。室溫傳感器和管溫傳感器的形狀不同，但溫度特性基本一致。按溫度特性劃分，使用的室溫管溫傳感器有二種類型：1.常數(shù)b值為4100k±3%，基準電阻為25℃對應(yīng)電阻10kω±3%。在0℃和55℃對應(yīng)電阻公差約為±7%；而0℃以下及55℃以上，對于不同的供應(yīng)商，阿托斯atos傳感器電阻公差會有一定的差別。溫度越高，阻值越??；溫度越低，阻值越大。離25℃越遠，對應(yīng)電阻公差范圍越大。
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