1，固態(tài)硬盤和內(nèi)存條哪個(gè)好2，內(nèi)存條和固態(tài)硬盤哪個(gè)好3，ssd固態(tài)硬盤 與 內(nèi)存盤的區(qū)別4，硬盤固態(tài)硬盤和內(nèi)存有什么區(qū)別5，固態(tài)硬盤的速度和內(nèi)存條的速度差距多少1，固態(tài)硬盤和內(nèi)存條哪個(gè)好
玩游戲，如不足4g，建議加內(nèi)存。辦公，建議加固態(tài)固態(tài)硬盤是用來裝系統(tǒng)、程序、文檔的內(nèi)存是用來做高速緩存的兩者用途不同，工作方式也不同，不能比的你這問題根本不成立，硬盤決定的是儲(chǔ)存速度，內(nèi)存決定的是運(yùn)行速度。當(dāng)然，運(yùn)行速度是各硬件都協(xié)調(diào)搭配的，我說的也不太準(zhǔn)確，建議你先弄懂硬盤跟內(nèi)存的關(guān)系再說吧
2，內(nèi)存條和固態(tài)硬盤哪個(gè)好
電腦 內(nèi)存 是內(nèi)存 硬盤 是硬盤 對(duì)于現(xiàn)在的電腦 兩者 缺一不可、、、固態(tài)硬盤是 相對(duì)于 機(jī)械硬盤而言的 機(jī)械硬盤存儲(chǔ)數(shù)據(jù) 是靠 磁片和磁針 而固態(tài)硬盤 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)是靠flash芯片 （類似于u盤）所以 固態(tài)硬盤 存儲(chǔ)速度 要快很多內(nèi)存條 是 cpu和 硬盤之間通訊的一個(gè) 中繼硬件 對(duì)于 現(xiàn)在的電腦來說 是不能少的對(duì)于現(xiàn)在的電腦 內(nèi)存 和 硬盤 缺一不可 不能互相代替的
3，ssd固態(tài)硬盤 與 內(nèi)存盤的區(qū)別
固態(tài)硬盤是沒有轉(zhuǎn)速的，機(jī)械硬盤才有轉(zhuǎn)速這個(gè)慨念。正常情況下固態(tài)比機(jī)械硬盤運(yùn)行速度快，但是用固態(tài)硬盤時(shí)有進(jìn)行4k對(duì)齊，才能充分發(fā)揮固態(tài)硬盤的作用。ssd固態(tài)硬盤比傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤的讀寫速度更快 建議購(gòu)買三星840evo呢不一樣，系統(tǒng)軟件安裝一般安裝在固態(tài)盤上。你用軟件測(cè)試了你的現(xiàn)在的硬盤速度能達(dá)到600嗎？測(cè)了看看你就知道需不需要換了。
4，硬盤固態(tài)硬盤和內(nèi)存有什么區(qū)別
機(jī)械硬盤 就是我們現(xiàn)在大多都在使用的，構(gòu)造原理是硬盤里面是由1張或幾張可讀寫數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存盤體，盤體上有只讀寫槍，有點(diǎn)象老式光碟機(jī)，硬盤里面還有一保馬達(dá)帶動(dòng)儲(chǔ)存盤轉(zhuǎn)動(dòng)，從而能讀取到不同部分的數(shù)據(jù)。 優(yōu)點(diǎn)是生產(chǎn)成本低，容量大。但穩(wěn)定性及讀寫數(shù)據(jù)速度不如固態(tài)硬盤固態(tài)硬盤 簡(jiǎn)單些有點(diǎn)象平時(shí)的u盤，只是電路板更復(fù)雜。沒有象機(jī)械硬盤那樣的馬達(dá)及儲(chǔ)存碟盤，而主要以半導(dǎo)體固體作為數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)。優(yōu)點(diǎn)是速度快、穩(wěn)定、壽命長(zhǎng)，但目前來說價(jià)格貴。一般發(fā)燒友都會(huì)用?，F(xiàn)在的筆記本大部分都是用2.5寸的機(jī)械硬盤，而臺(tái)式機(jī)用的是3.5寸的機(jī)械硬盤。如蘋果出的ipad 用的就是固態(tài)硬盤，還有部份超薄的筆記本也會(huì)用到固態(tài)硬盤。內(nèi)存--有電時(shí)可以存取數(shù)據(jù)，沒電時(shí)清零。普通硬盤--用于存取數(shù)據(jù)，停電后也能保存。固態(tài)硬盤--和普通硬盤一樣，只是速度快幾倍，用于取代普通硬盤。
5，固態(tài)硬盤的速度和內(nèi)存條的速度差距多少
內(nèi)存的基本構(gòu)架和固態(tài)硬盤發(fā)熱構(gòu)架完全不同，固態(tài)硬盤的存儲(chǔ)芯片是非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)（nvram），也就是沒有電源后內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。nand型閃存為例，它的隨機(jī)存取速度慢，而且寫入數(shù)據(jù)之前還要對(duì)區(qū)塊進(jìn)行擦除，使得寫速度僅有讀取速度的1/2~1/4，這種現(xiàn)象在目前廣泛使用的mlc nand上更加嚴(yán)重。此外，nand的壽命也難以令人滿意，一般slc型nand可以承受10萬次左右讀寫，而mlc型nand則更低。內(nèi)存是雙倍速率sdram（dual date rate sdrsm，ddr sdram）：又簡(jiǎn)稱ddr，由于它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，所以即使在133mhz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128gb/s。ddr不支持3.3v電壓的lvttl，而是支持2.5v的sstl2標(biāo)準(zhǔn)。它仍然可以沿用現(xiàn)有sdram的生產(chǎn)體系，制造成本比sdram略高一些，但仍要遠(yuǎn)小于rambus的價(jià)格，因?yàn)橹圃炱胀╯dram的設(shè)備只需稍作改進(jìn)就能進(jìn)行ddr內(nèi)存的生產(chǎn)，而且它也不存在專利等方面的問題，所以它代表著未來能與rambus相抗衡的內(nèi)存發(fā)展的一個(gè)方向。內(nèi)存也固態(tài)硬盤的區(qū)別就是停電了固態(tài)硬盤里的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失而內(nèi)存的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。而且底層構(gòu)架不同也就決定了存儲(chǔ)速率的差別。ps：在百度上找不到關(guān)于內(nèi)存底層構(gòu)架的文章，上面的資料有部分是以前在專業(yè)書上看到的現(xiàn)在回憶有可能有疏漏，望大家海涵。我的內(nèi)存讀取速度能到15000多m/s，寫入速度在13000左右，現(xiàn)在最好的固態(tài)硬盤讀取速度也就能到400多m/s，寫入速度更低點(diǎn)，也就200多吧。 只能用天差地別來形容。 如果你用內(nèi)存虛擬一塊硬盤出來再用硬盤測(cè)試軟件測(cè)，你就知道什么是飛一般的速度了。固態(tài)硬盤是可以用內(nèi)存條做的，其實(shí)速度上和傳統(tǒng)硬盤沒區(qū)別，傳統(tǒng)硬盤每秒 50m 是沒問題的就是帶寬上有瓶頸， 最大只能每秒100-300m固態(tài)的應(yīng)該就是沒有個(gè) 瓶頸所以有優(yōu)勢(shì)，但是現(xiàn)在內(nèi)存很大 基本上也不用硬盤搞些什么輔助緩存， 我覺得沒什么必要搞固態(tài)硬盤，容量又小又貴d不要內(nèi)存算了！ 你發(fā)現(xiàn)內(nèi)存的帶寬都是用gb/s算的嗎？- -基本差不多d不要內(nèi)存算了！ 你發(fā)現(xiàn)內(nèi)存的帶寬都是用gb/s算的嗎？- -