某ai芯片公司研發(fā)部采用伯東20ibe-c用于蝕刻fsd車載ai芯片,去除制造過程中產(chǎn)生的污染物,提高ai芯片的表面均勻度.
hakuto離子蝕刻機(jī)20ibe-c技術(shù)參數(shù)如下:
ф4 inch x 6片
基板尺寸
< ф3 inch x 8片< ф4 inch x 6片< ф8 inch x 1片
樣品臺(tái)
樣品臺(tái)可選直接冷卻/間接冷卻, 0-90度旋轉(zhuǎn)
離子源
20cm考夫曼離子源
均勻性
±5% for 8”ф
硅片蝕刻率
20 nm/min
溫度
<100
hakuto離子蝕刻機(jī)20ibe-c產(chǎn)品圖如上圖,其主要構(gòu)件包括pfeiffer分子泵, kri考夫曼離子源,觸摸屏控制面板,真空腔體,樣品臺(tái).如下圖：
hakuto離子蝕刻機(jī)20ibe-c的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國(guó)考夫曼博士創(chuàng)立的kri考夫曼公司的射頻離子源rficp220.
伯東kri射頻離子源rficp 220技術(shù)參數(shù):
離子源型號(hào)
rficp 220
discharge
rficp射頻
離子束流
>800 ma
離子動(dòng)能
100-1200 v
柵極直徑
20 cm φ
離子束
聚焦
流量
10-40 sccm
通氣
ar, kr, xe, o2, n2, h2,其他
典型壓力
< 0.5m torr
長(zhǎng)度
30 cm
直徑
41 cm
中和器
lfn 2000
*可選:燈絲中和器;可變長(zhǎng)度的增量
hakuto離子蝕刻機(jī)20ibe-c的樣品臺(tái)可以0-90度旋轉(zhuǎn),實(shí)現(xiàn)晶圓反應(yīng)面均勻地接受離子的轟擊,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)提高晶圓的加工質(zhì)量.
hakuto離子蝕刻機(jī)20ibe-c配套的是伯東pfeiffer渦輪分子泵hipace 700.
伯東pfeiffer渦輪分子泵hipace 700技術(shù)參數(shù):
2707-operating voltage: v dc
48(±5%)v dc
ar的壓縮比
> 1 · 1011
ar的抽速
665l/s
ar的最終轉(zhuǎn)速時(shí)的氣體流量
3.5 hpa l/s|2.62 torr l/s|3.5 mbar l/s
h2的壓縮比
4 · 105
h2的抽速
555l/s
h2的最終轉(zhuǎn)速時(shí)的氣體流量
> 14 hpa l/s|> 10.5 torr l/s|> 14 mbar l/s
he的壓縮比
3 · 107
he的抽速
655l/s
he的最終轉(zhuǎn)速時(shí)的氣體流量
10 hpa l/s|7.5 torr l/s|10 mbar l/s
i/o接口
rs-485,遠(yuǎn)程, profibus
n2的壓縮比
> 1 · 1011
n2的抽速
685l/s
n2的zui大預(yù)真空
11百帕
n2的最終轉(zhuǎn)速時(shí)的氣體流量
6.5 hpa l/s|4.88 torr l/s|6.5 mbar l/s
不帶氣鎮(zhèn)的最終壓力
1 · 10-7百帕
允許冷卻水的溫度
15–35°c攝氏度
冷卻水消耗最小值
100l/h
冷卻水耗量
100l/h
冷卻類型，可選項(xiàng)
空氣
冷卻類型，標(biāo)準(zhǔn)
水
聲壓水平
≤50db(a)分貝(a)
安裝方向
任何
排氣連接
g 1/8
接口，擴(kuò)展
profibus
方位
混合動(dòng)力
zui大允許磁場(chǎng)
6mt
根據(jù)pneurop的最終壓力
< 1 · 10-7百帕
電子驅(qū)動(dòng)單元
帶有tc 400
電流zui大值
8,75 a
耗電量max.
420瓦
轉(zhuǎn)速a± 2 %
49,200 rpm|49,200 min-1
轉(zhuǎn)速可變化
60–100
運(yùn)行時(shí)間
2分
連接法蘭（入口）
dn 160 iso-f
連接法蘭（出口）
dn25iso-kf/g?
重量
12.1千克
防護(hù)等級(jí)
ip54
若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論,請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
上海伯東:羅先生