該儀器采用流水式測量原理，無熱量積累，可長時間連續(xù)測量；吸收體與被測激光器形狀吻合，無接收死角，測量精度高；抗激光破壞閾值高，光譜響應(yīng)范圍寬。適用于大尺寸環(huán)形半導(dǎo)體激光器陣列輸出功率的直接測試。流水式探測器設(shè)計，適合大功率半導(dǎo)體激光器長時間測試吸收體的表面形狀與被測對象吻合，可實現(xiàn)全光束接收抗激光破壞閾值高響應(yīng)度高、響應(yīng)速度快、均勻性好光譜響應(yīng)范圍寬便于拆裝、操作簡單技術(shù)參數(shù)：光譜響應(yīng)范圍：600nm～1000nm功率探測范圍：100w～1500w*大峰值功率密度：≥5kw/cm2光敏面形狀：圓柱形光敏面外表面直徑：≤8mm光敏面長度：150mm響應(yīng)時間：≤15s
kpbgs-6341電子薄膜應(yīng)力分布測試儀該儀器是為解決微電子、光電子科研與生產(chǎn)中基片平整度及薄膜應(yīng)力分布的測試而設(shè)計的。它通過測量每道工序前后基片面形的變化（變形）來測量曲率半徑的變化及應(yīng)力分布，從而計算薄膜應(yīng)力。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件工藝研究及質(zhì)量控制，為改善半導(dǎo)體器件可靠性提供測試數(shù)據(jù)。本儀器適用于測量si、ge、caas等半導(dǎo)體材料的基片平整度，以及氧化硅、氮化硅、鋁等具有一定反光性能的薄膜的應(yīng)力分布。技術(shù)參數(shù)：測試硅片尺寸：2～4英寸硅片曲率范圍：|r|> 5米測試精度：5%（在r=±8米處考核）單片測試時間：3分鐘/片輸出結(jié)果類型：面形、曲率分布、梯度分布和應(yīng)力分布圖形顯示功能：三維立體顯示、二維偽彩色顯示、統(tǒng)計數(shù)據(jù)表格電 源：ac 220（1±10%）v，50（1±5%）hz*大功耗：100w外形尺寸：285mm×680mm×450mm重 量：≤36kg