在硅或鍺的晶體中摻入五價元素雜質而形成的雜質半導體，稱為n型半導體。
在n型半導體中多數載流子是電子（由摻雜產生），空穴為少數載流子（由本征激發(fā)產生）。
在硅或鍺的晶體中摻入五價元素，它的五個價電子中有四個與周圍的硅原子結成共價鍵后，多出一個價電子。在室溫下，原子對于這個多余的價電子束縛力較弱，它很容易被激發(fā)而成為自由電子。這樣，雜質原子就變成帶正電荷的離子。由于雜質原子可以提供電子，故稱為施主原子。這種雜質半導體中自由電子的濃度遠遠大于同一溫度下本征半導體中自由電子的濃度，這就大大增強了半導體的導電能力。